Dünyaca ünlü elektronik markası olan STMicroelectronics imzası STB12N60DM2AG ürünü, bir çeşit N-kanal Power MOSFET modelidir. MDmesh DM2 teknolojisiyle üretilen bu MOSFET, ultra düşük açma direnci + yüksek hızda anahtarlama becerisine sahiptir. Transistör olarak da adlandırılan Power MOSFET, D²PAK paketinde kullanıcıların beğenisine sunulurken AEC-Q101 otomotiv sertifikalıdır. 600 V drenaj - kaynak gerilimini 10 A akım kapasitesi ile destekleyen başarılı modül, otomotivden endüstriyel uygulamalara kadar pek çok alanda kullanılır. Sizin de yüksek verimli, güçlü ve otomotiv uyumlu bir POWER MOSFET edinmeniz gerekiyorsa STB12N60DM2AG ürününü tercih edebilirsiniz.
STB12N60DM2AG ürünü, genel olarak güç elektroniği sistemlerinde verimli anahtarlama + enerji yönetimi sağlayacak niteliktedir. Üstelik sahip olduğu düşük açma direnci sayesinde enerji kayıplarını azaltır, ısı üretimini de minimum düzeye indirir. Örnek olarak, STB12N60DM2AG ürünü bir hibrit otomobile entegre edildiğinde, batarya güç dönüştürücüsündeki enerji akışlarını kontrol ederken hızlı kurtarma diyotu sayesinde yüksek frekanslı uygulamalarda ise performansı artırır. Başarılı Power MOSFET modeli, AEC-Q101 sertifikasına sahip olduğundan ani ısı ve ivme değişimlerinin olduğu zorlu otomotiv koşullarında güvenilir performans gösterir. Dolayısıyla STB12N60DM2AG ürünü, güç yönetimi projelerinde yüksek performans ve dayanıklılık için tercih edilebilir.
STB12N60DM2AG teknik özellikleri ile hem otomotiv sektörü hem de endüstriyel uygulamalar için ideal bir Power MOSFET türüdür. Başarılı modülün, maksimum drenaj - kaynak gerilimi V;DS 600 V düzeyindeyken sürekli drenaj akımı ise 10 A kadardır. Ek olarak açma direnci sadece 380 mΩ (V_GS = 10 V) olduğundan güç kayıpları minimum düzeydedir. STB12N60DM2AG ürününün maksimum kapı - kaynak gerilimi ise ±25 V'tur. Başarılı transistörün toplam kapı yükü 16 nC olduğundan anahtarlama performansı da oldukça hızlıdır. Üstelik R_θJC 2.5°C/W düşük termal direnci sayesinde etkili ısı yönetimi de sağlar.
Fark yaratan STB12N60DM2AG özellikleri arasında güvenlik özellikleri de yer alır. Bunlardan biri modülde yer alan entegre hızlı kurtarma diyotudur. Bu diyot, ters akıma karşı koruma sağlar. Maksimum 110 W güç dağılımı desteklediği için esnek kullanım sağlayan Power MOSFET, -55°C ile 150°C arasında değişen ortam ısılarında sorunsuz olarak çalışabilir. Dolayısıyla ürün zorlu ortamlarda dahi güvenilir performans göstermeye devam eder. MDmesh DM2 teknolojisi ile üretilen STB12N60DM2AG ürünü, düşük kapasitans + yüksek verimlilik sunarken D²PAK paket türü ile de alan tasarrufu sağlar. Çünkü söz konusu paket sadece 10.4x9.35x4.6 mm ölçülerindedir.
STB12N60DM2AG kullanımı, yüksek voltaj + verimlilik gerektiren otomotiv şarj sistemlerinden telekomünikasyon ekipmanlarına kadar pek çok alanda görülür. Başarılı Power MOSFET modelinin başlıca kullanım alanlarını ise şu şekilde sıralamak mümkündür:
STMicroelectronics markasının zengin ürün seçkisinde bulunan STB12N60DM2AG adlı Power MOSFET - transistör, ulaşılabilir fiyatlı olmasıyla öne çıkar. Hemen her bütçeye hitap eden STB12N60DM2AG fiyatı, enerji verimliliği sağlama, dayanıklı yapı - uzun kullanım ömrü gibi özelliklerle desteklenir. Bunun sonucunda da uzun vadede maliyet tasarrufu sağlar. Başarılı Power MOSFET modeline Empa Store online mağazası aracılığıyla kolayca ulaşılabilir. Empa Elektronik, alanında lider çok sayıda elektronik markasının resmi Türkiye temsilcileri arasında yer almakla birlikte zengin bir ürün seçkisine sahiptir. Dolayısıyla STB12N60DM2AG satın alırken dilerseniz ihtiyaç duyabileceğiniz diğer modüllere, bileşenlere, kitlere, entegre birimlerle de göz atabilirsiniz. Siz de yüksek voltaj güvenilir performans gösteren, çok yönlü, uyumlu ve kompakt bir MOSFET edinmek istiyorsanız Empa Store üzerinden STB12N60DM2AG için hemen sipariş oluşturabilirsiniz.
TR − TL
