G3R20MT12K Silicon Carbide Mosfet

G3R20MT12K 1200 V 20 mΩ SiC MOSFET

GeneSiC G3R20MT12K, endüstriyel güç elektroniği uygulamaları için tasarlanmış yüksek performanslı bir Silikon Karbür (SiC) güç MOSFET'idir. Bu MOSFET, yüksek güç yoğunluğu, düşük iletken ve anahtarlama kayıpları ile karakterizedir ve endüstriyel motor sürücüleri, invertörler, güç kaynakları ve benzeri uygulamalarda geniş bir kullanım alanına sahiptir.

Ana Özellikler:

1. Yüksek Performans: G3R20MT12K MOSFET, yüksek hızlı anahtarlama özellikleri ve düşük iletim kayıpları sayesinde yüksek performans sağlar. Bu, güç dönüşümünde verimliliği artırır ve sistem performansını iyileştirir.

2. Yüksek Güç Yoğunluğu: Silikon Karbür (SiC) teknolojisi sayesinde, G3R20MT12K MOSFET yüksek güç yoğunluğuna sahiptir. Bu, kompakt ve verimli güç sistemlerinin tasarlanmasını sağlar.

3. Düşük Kayıplar: MOSFET'in düşük iletken ve anahtarlama kayıpları, enerji dönüşümünde kayıpların minimize edilmesini sağlar. Bu da sistem verimliliğini artırır ve enerji maliyetlerini düşürür.

4. Dayanıklılık: G3R20MT12K, endüstriyel ortamlarda güvenilir performans sağlamak üzere tasarlanmıştır. Yüksek sıcaklık toleransı ve dayanıklılığı sayesinde uzun ömürlü bir çözüm sunar.

5. Termal Performans: Entegre termal yönetim özellikleri, MOSFET'in optimum çalışma sıcaklığında tutulmasını sağlar. Bu, güvenilirlik ve performansın korunmasına yardımcı olur.

Uygulamalar:

• Endüstriyel motor sürücüleri
• Güç invertörleri
• Yenilenebilir enerji sistemleri
• Elektrikli araç şarj cihazları
• Elektrikli araç motor sürücüleri
• Güç kaynakları ve güç yönetimi sistemleri

GeneSiC G3R20MT12K MOSFET, yüksek performansı, güvenilirliği ve dayanıklılığı ile endüstriyel güç elektroniği sistemleri için ideal bir çözüm sunar.